Південнокорейська SK hynix розпочинає будівництво свого першого виробничого підприємства у США. Компанія інвестує $3,87 млрд у завод передового пакування пам'яті для систем штучного інтелекту та дослідницький центр у штаті Індіана. Підготовчі роботи на майданчику у Вест-Лафайєті вже тривають, а офіційну церемонію початку будівництва запланували на 27 серпня.
Після неї мають розпочатися основні конструкційні роботи. Підприємство розмістять у дослідницькому парку Університету Purdue. На ньому встановлять лінію передового пакування високошвидкісної пам'яті HBM, яка використовується разом із графічними процесорами в серверах для навчання та роботи моделей штучного інтелекту.
Таким чином, ідеться не про повний цикл виготовлення напівпровідників із пластин, а насамперед про складання й пакування HBM-чипів. Цей етап передбачає вертикальне з'єднання кількох кристалів пам'яті, що забезпечує високу швидкість передавання даних і є критично важливим для сучасних ШІ-прискорювачів. Масове виробництво на підприємстві планують розпочати у другій половині 2028 року.
На майданчику також працюватиме дослідницька лінія для розроблення наступних поколінь пам'яті та технологій інтеграції напівпровідників. Проєкт має створити близько тисячі постійних робочих місць і сотні робочих місць на етапі будівництва. SK hynix співпрацюватиме з Університетом Purdue та іншими навчальними закладами для підготовки інженерів і технічних працівників.
Міністерство торгівлі США надало проєкту до $458 млн прямого фінансування за програмою CHIPS and Science Act. Компанії також доступна позика обсягом до $500 млн. SK hynix є одним із найбільших світових виробників пам'яті HBM та ключовим постачальником таких компонентів для Nvidia.
Запуск американського підприємства має скоротити залежність США від закордонного пакування чипів і зміцнити локальний ланцюг постачання обладнання для штучного інтелекту. За матеріалами: Aju Press, SK hynix, NIST
